[发明专利]一种掺杂薄膜铂电阻温度传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310429286.4 | 申请日： | 2023-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN116337262A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 何凯;汪民;许玉方;柳舒航;郝宏伟 | 申请（专利权）人： | 广州德芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 廖慧琪 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掺杂薄膜铂电阻温度传感器，包括：衬底、设置于衬底上的合金成分可调的掺杂薄膜、设置于掺杂薄膜上的金属触垫、与金属触垫键合的引线和包裹住衬底上表面的密封釉层。本发明还提供一种掺杂薄膜铂电阻温度传感器的制备方法，包括在选定的衬底上镀上合金成分可调的掺杂薄膜；对镀好掺杂薄膜衬底进行均匀化退火处理，并制备金属触垫，获取传感器基片；将传感器基片上的金属触垫与引线键合后对传感器基片进行封装，获取传感器元件。该制备方法所制备的温度传感器能达到国际标准规定的3850ppm/℃，且该传感器以合金成分可调的掺杂薄膜作为温度敏感材料，使得温度传感器的测温范围广，有效克服了现有薄膜铂电阻测温范围小的技术缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 薄膜 铂电阻 温度传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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