[发明专利]InGaAs探测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种InGaAs探测器及其制造方法，该InGaAs探测器包括衬底、生长于衬底上的外延结构和与外延结构连接的金属电极，外延结构具有刻蚀的台阶部，台阶部的上表面和外延结构的侧面覆盖介质钝化层，金属电极贯穿介质钝化层；外延结构包括依次生长在衬底上的N型缓冲层、本征吸收层和钝化结构层，N型缓冲层覆盖于衬底上，本征吸收层覆盖N型缓冲层的上表面的部分区域；钝化结构层中的i型隧穿化学钝化层覆盖于吸收层上，P型场钝化层位于i型隧穿化学钝化层的上表面的部分区域。本发明不需要通过杂质扩散的方法即可获得平面型InGaAs探测器结构，且依次外延生长的i型隧穿化学钝化层和P型场钝化层构成的钝化结构层，增强了界面钝化效果。