[发明专利]磁控溅射阳极以及磁控溅射设备在审
| 申请号： | 202310417378.0 | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116497327A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 徐升东 | 申请（专利权）人： | 理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供磁控溅射阳极以及磁控溅射设备。所述磁控溅射阳极与布气组件以及旋转阴极一并布置在磁控溅射设备的溅射腔中，所述磁控溅射阳极设置在所述溅射腔的盖板或底板与所述旋转阴极之间，并且构造成包覆所述旋转阴极并将其旋转轴及面向基片的溅射端露出的U形罩，所述U形罩底部开设有适于所述布气组件穿设的通槽，所述U形罩接收及限制所述布气组件提供的气体并且收集所述旋转阴极表面的靶材在溅射过程中产生的电子。本发明能提高磁控溅射阳极捕获电子的能力，减少电子逃逸以及电子达到基片上的概率，提高溅射稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 阳极 以及 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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