[发明专利]一种二极管质量可靠性快速评价方法及系统在审
| 申请号： | 202310414954.6 | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116561985A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 刘红民;范晓军;翁正 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家空间科学中心 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/02 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 杨小蓉;杨青 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二极管质量可靠性快速评价方法及系统，所述方法包括：在设定温度下，绘制批次中所有二极管的I‑V曲线；根据I‑V曲线计算缺欠因子d值；对批次中所有二极管在设定温度下的缺欠因子d值计算均值和方差；与生产线大数据库中的在相同温度下的不同质量等级的二极管的缺欠因子d值进行对比，得出该批次二极管的质量可靠性信息，即该批次中不同缺欠因子d值的二极管所对应的不同质量等级。本发明的优势在于：基于半导体物理和引入制造缺欠因子，质量可靠性机理清楚；测试和评价在几天内完成，实现快速的质量可靠性评价。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 质量 可靠性 快速 评价 方法 系统 | ||
【主权项】：
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