[发明专利]一种二极管质量可靠性快速评价方法及系统

权利要求书

1.一种二极管质量可靠性快速评价方法，所述方法包括：

步骤S1：在设定温度下，绘制批次中所有二极管的I-V曲线；

步骤S2：根据I-V曲线计算缺欠因子d值；

步骤S3：分析批次中所有二极管在设定温度下的缺欠因子d值，确定数据的有效性；

步骤S4：与生产线大数据库中的在相同温度下的不同质量等级的二极管的缺欠因子d值进行对比，得出该批次二极管的质量可靠性信息，即该批次中不同缺欠因子d值的二极管所对应的不同质量等级。

2.根据权利要求1所述的二极管质量可靠性快速评价方法，其特征在于，所述设定温度为二极管最高工作温度。

3.根据权利要求1所述的二极管质量可靠性快速评价方法，其特征在于，绘制二极管的I-V曲线的方法为：利用晶体管参数测试仪或通过对二极管施加正向电压，用电流表测量二极管的正向电流，得到二极管I-V曲线。

4.根据权利要求1所述的二极管质量可靠性快速评价方法，其特征在于，所述根据I-V曲线计算缺欠因子d值，具体为：

d＝qV/KT ln(I/I_s-1)

其中，I表示二极管正向电流；I_s表示二极管反向饱和电流；V表示二极管正向电压；q表示单位电荷量；K表示玻尔兹曼常数；T表示工作温度。

5.根据权利要求1所述的二极管质量可靠性快速评价方法，其特征在于，所述确定数据的有效性，具体为：计算批次中所有二极管在设定温度下的缺欠因子d值的方差，当方差小于设定阈值时数据有效。

6.一种二极管质量可靠性快速评价系统，基于权利要求1-5所述任一方法实现，其特征在于，所述系统包括：

绘制I-V曲线模块，用于在设定温度下，绘制批次中所有二极管的I-V曲线；

计算缺欠因子模块，用于根据I-V曲线计算缺欠因子d值；

分析有效性模块，用于分析批次中所有二极管在设定温度下的缺欠因子d值，确定数据的有效性；

评价质量等级模块，用于与生产线大数据库中的在相同温度下的不同质量等级的二极管的缺欠因子d值进行对比，得出该批次二极管的质量可靠性信息，即该批次中不同缺欠因子d值的二极管所对应的不同质量等级。

7.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5中任一项所述的方法。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序当被处理器执行时使所述处理器执行如权利要求1至5任一项所述的方法。