[发明专利]一种铟磷高电子迁移率晶体管源极串联电阻的提取方法在审
| 申请号： | 202310412302.9 | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116559541A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张傲;徐佳卉;高建军 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08;G06F17/10 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 曹振中 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种铟磷高电子迁移率晶体管源极串联电阻的提取方法，包括以下步骤：获取InPHEMT器件的直流测试数据；基于InPHEMT器件的直流测试数据，计算直流跨导与直流输出电导；基于InPHEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果及直流跨导和直流输出电导，获取源极串联电阻的初始值；基于InPHEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果，获取射频跨导与射频输出电导；基于源极串联电阻的初始值、射频跨导以及射频输出电导，优化源极串联电阻参数值。本申请从源极串联电阻对器件特性的影响出发，利用直流特性和正常工作状态下的S参数，定义了源极串联电阻唯一解的提取方法，且提高了模型的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟磷高 电子 迁移率 晶体管 串联 电阻 提取 方法 | ||
【主权项】：
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