[发明专利]一种铟磷高电子迁移率晶体管源极串联电阻的提取方法

权利要求书

1.一种铟磷高电子迁移率晶体管源极串联电阻的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：

对InP HEMT器件进行通电测试，获取所述InP HEMT器件的直流测试数据；

基于所述InP HEMT器件的直流测试数据，计算直流跨导与直流输出电导；

基于所述InP HEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果及所述直流跨导和所述直流输出电导，获取源极串联电阻的初始值；

基于所述InP HEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果，获取射频跨导与射频输出电导；

基于所述源极串联电阻的初始值、所述射频跨导以及所述射频输出电导，优化源极串联电阻参数值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述InP HEMT器件的直流测试数据，计算直流跨导与直流输出电导的方法，包括：

根据公式(1)和公式(2)计算源漏电流对栅源电压和漏源电压的偏导，

其中，和分别为直流跨导与直流输出电导，I_ds和V_ds代表测试电流以及测试电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述InP HEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果的方法，包括：

根据公式(3)，计算在射频正常工作状态下电路的S参数；

公式(3)为：

其中，Z₀为特性阻抗，S₂₁为输出端口接匹配负载情况下的正向功率增益，S₂₂为输入端口接匹配负载情况下的输出端口反射系数。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述InP HEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果及所述直流跨导和所述直流输出电导，获取源极串联电阻的初始值的方法。

根据公式(4)，获取源极串联电阻的初始值；所述公式(4)为：

其中，R_s为源极串联电阻的初始值。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述InP HEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果，获取射频跨导与射频输出电导的方法，包括：

将所述S参数测量结果转化为Y参数；基于已去嵌的所述Y参数和公式(5)，计算射频跨导与射频输出电导；所述公式(5)为：

其中，Y₁₂为输入端口短路情况下的反向传输导纳，Y₂₁为输出端口短路情况下的正向传输纳，Y₂₂为输入端口短路情况下的输出导纳。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述源极串联电阻的初始值、所述射频跨导以及所述射频输出电导，优化源极串联电阻参数值的方法，包括：

基于所述InP HEMT器件的频率色散效应，对比所述直流跨导与所述射频跨导，优化源极串联电阻参数值。