[发明专利]集成电路沉积膜厚预测方法及系统在审
| 申请号： | 202310405795.3 | 申请日： | 2023-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116431996A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡宇;史雨萌;陈一宁;阚健豪;唐建 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G06F18/15 | 分类号： | G06F18/15;H01L21/66;G06F18/2113;G06F18/214;G06F18/27;G06F18/243 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;付久春 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于RFE‑CV‑XGBoost的集成电路沉积膜厚的预测方法及系统，属半导体制造领域，方法包括：步骤S1，对数据库的沉积薄膜数据进行预处理；步骤S2，按预定的特征筛选规则对步骤S1预处理后的沉积薄膜数据包含的特征值筛选；步骤S3，对步骤S2的特征经交叉验证的特征递归消除方式处理；步骤S4，基于XGBoost建立回归预测模型，利用步骤S3的特征进行训练和测试；步骤S5，利用遗传算法对优化回归预测模型超参数，找出最佳超参数，利用最终回归预测模型对集成电路沉积膜厚进行预测。本发明通过数据建模，节省了薄膜沉积过程后的膜厚量测步骤，缩短了半导体产品的生产周期，节约了量测成本支出。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 沉积 预测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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