[发明专利]晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法有效
申请号: | 202310397169.4 | 申请日: | 2023-04-10 |
公开(公告)号: | CN116153860B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 王传智;刘冠东;李洁;王伟豪;张汝云 | 申请(专利权)人: | 之江实验室 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/52 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 亓一舟 |
地址: | 311121 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法。所述键合方法包括如下步骤:于背景气体下,在晶圆的铜凸点表面,采用能量功率为100mJ‑300mJ的脉冲激光溅射沉积纳米铜层,得到结构晶圆;将纳米铜浆料涂覆于所述结构晶圆中的纳米铜层表面,得到预处理晶圆,其中,所述纳米铜浆料包括纳米铜粉、还原剂、固化剂以及有机溶剂;在还原性气氛中,将另一所述结构晶圆与所述预处理晶圆倒装热压贴合,经热处理固化后冷却静置,完成晶圆级铜铜凸点互连结构的键合。所述键合方法无需引入除铜之外的其他金属就可以实现铜凸点之间的稳定键合,显著提高键合的可靠性,保证良好的导电效果。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级铜铜凸点 互连 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于之江实验室,未经之江实验室许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310397169.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种挂绳饼串的加工方法
- 下一篇:一种通用器件模型优化方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造