[发明专利]一种低反向漏电流的肖特基二极管与制备方法在审
| 申请号： | 202310394327.0 | 申请日： | 2023-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN116779641A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李嘉琳;朱涛;魏晓光;张丙可;李玲;赵万利;周行;葛欢;常树丞;孙俊敏;白雪 | 申请（专利权）人： | 北京智慧能源研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 | 代理人： | 焦丽雅 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低反向漏电流的肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括元胞区，元胞区包括衬底层、外延层、高掺杂区、高肖特基势垒接触区域、中肖特基势垒接触区域、正面电极层、背面电极层；所述外延层位于所述衬底层之上。本发明通过在常规肖特基势垒面积较大的区域加入部分高肖特基势垒区域，此区域导通开启电压小，但具有高肖特基势垒，在正向通流能力损失较少的情况下，减少肖特基势垒二极管和结势垒肖特基二极管部分因肖特基区域镜像力导致反向阻断漏电过大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 漏电 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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