[发明专利]超结载流子存储型IGBT器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310383628.3 | 申请日： | 2023-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN116435339A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结载流子存储型IGBT器件的制造方法，包括：步骤一、在器件单元区中形成载流子存储层。步骤二、在载流子存储层中形成多个P型柱，各P型柱之间的载流子存储层组成N型柱，PN型柱交替排列形成超结结构。超结结构的厚度由载流子存储层的厚度确定，载流子存储层的厚度根据IGBT器件正向导通时所需的电流能力进行设置。步骤三、完成正面工艺。步骤四、完成背面工艺，包括：将第一N型半导体层减薄到所需要的厚度。背面形成P+掺杂的集电区。载流子存储层底部的第一N型半导体层作为漂移区。IGBT器件的总耐压为载流子存储层的第一耐压和漂移区的第二耐压的和，使超结结构的厚度和IGBT器件的总耐压相独立。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 存储 igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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