[发明专利]一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310373026.X | 申请日： | 2023-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116230817A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 赵捷;刘宁炀;谭起龙;李祈昕;曾昭烩;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的垂直结构深紫外LED器件的制备方法包括：提供复合衬底，并在复合衬底上形成发光外延片；刻蚀发光外延片形成纳米孔洞，形成光子晶体结构，在纳米孔洞内沉积第一钝化层，并沉积Al金属颗粒；采用钝化材料填充纳米孔洞；沉积P电极与Al金属反射镜，通过金属键合层与导电衬底连接，并剥离复合衬底；研磨或刻蚀直至n‑AlGaN层，之后在n‑AlGaN层上进行选区刻蚀形成微纳米孔洞；在未刻蚀n‑AlGaN的区域上沉积N电极。本申请的垂直结构深紫外LED器件的制备方法，能够进一步提高器件的光提取效率以及发光效率，还能实现大功率发射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 深紫 led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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