[发明专利]一种高栅压摆幅的增强型GaN功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202310368461.3 | 申请日： | 2023-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN116092928B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚;李亦衡;武乐可;夏远洋 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L29/47;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 黄明光 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高栅压摆幅的增强型GaN功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明在P‑GaN层生长结束后，继续生长一层AlGaN‑2层，在AlGaN‑2层生长过程中进行Mg掺杂，形成P型半导体，并使Al组分为渐变的，以减小AlGaN‑2层与P‑GaN层之间的应力，减弱压电极化效应。P型半导体与金属接触时，金属的功函数相对于半导体的功函数越小，形成的肖特基接触势垒就越高。本发明利用AlGaN‑2层功函数比P‑GaN大的特点，其与栅极上方的金属形成的肖特基接触，势垒更高，从而导致栅极耐压会更强，提升了器件的栅压摆幅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高栅压摆幅 增强 gan 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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