[发明专利]高压可调多层电容器在审
| 申请号： | 202310363044.X | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN116313521A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | C·W·尼斯;A·P·里特;R·C·范奥斯汀 | 申请（专利权）人： | 京瓷AVX元器件公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12;H01G7/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 美国南卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种可调多层电容器。该电容器包括与第一有源端子电接触的第一有源电极和与第二有源端子电接触的第二有源电极。该电容器包括与第一DC偏置端子电接触的第一DC偏置电极和与第二DC偏置端子电接触的第二DC偏置电极。多个介电层设置在第一和第二有源电极之间以及在第一和第二偏置电极之间。至少一部分介电层包含可调介电材料，在将所施加的DC电压施加在第一和第二DC偏置电极两端时，该可调介电材料表现出可变介电常数。多个介电层中的至少一个的厚度大于约15微米。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 可调 多层 电容器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷AVX元器件公司，未经京瓷AVX元器件公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310363044.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种勘探钻头
- 下一篇：一种与初产母猪乏情相关的miRNA分子及其应用
