[发明专利]高压可调多层电容器

权利要求书

1.一种可调多层电容器，包括：

与第一有源端子电接触的第一有源电极；

与第二有源端子电接触的第二有源电极；

与第一DC偏置端子电接触的第一DC偏置电极；

与第二DC偏置端子电接触的第二DC偏置电极；以及

多个介电层，其设置在第一和第二有源电极之间以及在第一和第二偏置电极之间，其中，至少一部分介电层包含可调介电材料，在将所施加的DC电压施加在第一和第二DC偏置电极两端时，该可调介电材料表现出可变介电常数，并且所述多个介电层中的每一个的厚度为约15微米或更大。

其中，所述介电材料的电压可调系数为约10％至约95％，其中，所述电压可调系数根据以下一般公式确定：

T＝100x(ε₀-ε_V)/ε₀

其中，

T是电压可调系数；

ε₀是没有所施加的电压时材料的静态介电常数；以及

ε_V是在施加所施加的电压(DC)后材料的可变介电常数，且

第一和第二有源电极的总数量在约10到约100的范围内。

2.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述多个介电层的厚度在从约15微米到约150微米的范围内。

3.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所施加的DC偏置电压从约100V到约1000V。

4.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述可调多层电容器具有从约7mm到约14mm的长度。

5.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述可调多层电容器具有从约7mm到约14mm的宽度。

6.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述可调多层电容器具有从约2mm到约5mm的高度。

7.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述可调多层电容器的长度除可调多层电容器的高度的比率从大约3到大约5。

8.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述介电材料的静态介电常数为如在25℃的操作温度和1kHz的频率下根据ASTM D2149-13确定的约100至约10000。

9.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述介电材料包括一个或多个铁电基相。

10.根据权利要求9所述的可调多层电容器，其中，所述介电材料是钙钛矿、钨青铜材料、层状结构材料或其组合。

11.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述第一和第二有源端子以及所述第一和第二偏置端子关于可调多层电容器对称地设置。

12.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述第一有源电极和第二有源电极之间的距离与所述第一偏置电极和第二偏置电极之间的距离大致相同。

13.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述第一有源电极和第二有源电极之间的距离大于所述第一偏置电极和第二偏置电极之间的距离。

14.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述可调多层电容器能够被调谐到范围为约200000pF至约5000000pF的电容值。

15.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述电容器能够被调谐到约200000pF或更小的电容值。

16.根据权利要求1所述的可调多层电容器，其中，所述第一偏置电极包括延伸到所述第一DC偏置端子的接线片，且所述第二偏置电极包括延伸到所述第二DC偏置端子的接线片。