[发明专利]IToF图像传感器的像素结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种IToF图像传感器的像素结构及其制备方法。IToF图像传感器的像素结构包括：衬底；外延层，形成于衬底表面；掩埋层，形成于外延层内靠近衬底的一侧；光电二极管，形成于外延层内、并位于掩埋层远离衬底的一侧，靠近掩埋层一侧的外延层作为光电二极管的外延层器件区、还包括第一阱区、钳位层；第一、第二浮空扩散节点，分别形成于外延层器件区内远离掩埋层的两侧；第一、第二传输晶体管，分别形成于光电二极管远离衬底的两侧；掩埋层与外延层的导电类型相同，且掩埋层的掺杂浓度大于外延层，以在垂直于衬底方向上为光电二极管中所产生的光生电子转移提供电势梯度，加速光生电子转移，提高解调对比度进而提高测距精度。