[发明专利]一种用于检测硅片的平坦度的方法及装置在审
| 申请号： | 202310341913.9 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116313869A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 贺云鹏 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B5/28 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 侯丽丽;王渝 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于检测硅片的平坦度的方法，其特征在于，所述方法包括：基于硅片的待测表面，沿所述待测表面的直径方向设置以均匀的角间距间隔开的多个目标测量线，其中，所述硅片通过对硅棒执行线切割操作获得；根据所述硅棒在所述线切割操作时的粘着数据确定所述多个目标测量线中的一个目标测量线与参考线之间的目标夹角，其中，所述参考线设定为沿线切割方向的直径线；使所述多个目标测量线一起绕所述硅片的中心旋转所述目标夹角的度数以使一个目标测量线与所述参考线重合，并沿与所述参考线重合的所述目标测量线测量所述硅片的平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 检测 硅片 平坦 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司，未经西安奕斯伟材料科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310341913.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳电池及太阳电池的制备方法
- 下一篇：基于情绪识别的智能协助方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
