[发明专利]一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310340775.2 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116334761A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 刘鑫;胡庆元;李飞;魏晓勇;徐卓 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B30/02 | 分类号： | C30B30/02;C30B33/02;C30B29/22;G02B1/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用，S1，对与长方体弛豫铁电单晶光学面两个短边垂直的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到工程畴弛豫铁电单晶；S2，对与工程畴弛豫铁电单晶光学面两个长边垂直的的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到单畴态弛豫铁电单晶。简化了工艺流程，实现高性能多畴铁电单晶的高度单畴化，所得样品光学性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单畴态弛豫铁电单晶 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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