[发明专利]一种高质量Cs3在审

专利信息
申请号: 202310340625.1 申请日: 2023-04-03
公开(公告)号: CN116288649A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 周伯儒;张梁;南娓娜 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 本申请涉及晶体生长技术领域,具体公开了一种高质量Cs3Cu2I5单晶的生长方法。针对现有技术生长Cs3Cu2I5晶体时因熔体成分偏差及不均匀、原料易潮解等导致晶体质量差的问题,本发明提出采用摇摆炉合成和真空加热干燥技术控制晶体的化学计量比和消除杂质,制备出原料化合充分、成分均匀的高纯Cs3Cu2I5多晶料,进而生长出高质量Cs3Cu2I5单晶。本发明步骤如下:首先将经过真空加热干燥技术处理后的CsI和CuI原料密封在石英坩埚中,然后装入摇摆炉升至原料熔点之上,按设定的摇摆参数进行摇摆混匀和化合反应,获得成分均匀的Cs3Cu2I5多晶锭,将多晶锭放入单晶生长炉内,设定生长控制参数进行单晶生长,最终生长出了高质量的Cs3Cu2I5单晶。
搜索关键词: 一种 质量 cs base sub
【主权项】:
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