[发明专利]一种高质量Cs3

权利要求书

1.一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，包括步骤：原料干燥及封装、多晶料的合成、晶体生长、降温处理。

2.根据权利要求1所述一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，所述原料干燥与封装过程为：将CsI和CuI原料装入提前清洗洁净的石英坩埚中，使用加热炉及抽真空设备对原料进行真空加热干燥处理，石英坩埚内真空度至9×10^-4～1×10^-6Pa时熔封坩埚。

3.根据权利要求2所述一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，装入坩埚的CsI原料摩尔占比为55％～65％。

4.根据权利要求2所述一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，对原料进行真空加热干燥处理时，加热炉温度为120～300℃，加热时间为8～20h，加热期间对坩埚保持抽真空状态。

5.根据权利要求1所述一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，所述多晶料的合成过程为：将封装有原料的石英坩埚装入摇摆炉中，运行设定的温控程序及摇摆程序，最终合成纯相Cs₃Cu₂I₅多晶锭。

6.根据权利要求5所述的一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，所述的温控程序为：以速率60～90℃/h升温至630～720℃后持续保温，待摇摆终止2～6h后断电冷却降温。

7.根据权利要求5所述的一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，所述摇摆程序为：待升温结束保温1～5h之后，以速率0.2～8rpm摇摆，摇摆时间为10～48h。

8.根据权利要求1所述的一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，所述晶体生长过程为：将多晶料装入生长炉中，先对多晶锭进行过热处理，再保温，然后进行晶体生长。

9.根据权利要求8所述的一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，所述晶体生长过程为：升温速率为40～100℃/h，过热温度为420～480℃，保温8～48h，晶体生长温度为390～400℃，温度梯度为8～30℃/cm，生长速率为0.1～3mm/h。

10.根据权利要求1所述的一种高质量Cs₃Cu₂I₅单晶的生长方法，其特征在于，所述降温处理过程为：晶体生长结束后，设定温控程序进行降温，降温速率为5～50℃/h。