[发明专利]硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 202310338384.7 | 申请日： | 2023-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116337875A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 徐佳美;芮阳;祁海滨;王若男;冉泽平;徐慶晧;杨少林;王黎光;王忠保 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N1/32;G01N1/44 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 一种硅片氧化诱生层错缺陷的检测方法，可以包括步骤1：将待测硅片在高温环境下氧化热处理，以使待测硅片的氧化诱生层错缺陷成核长大；步骤2：利用氢氟酸溶液对氧化热处理后的待测硅片进行去氧化；步骤3：将去氧化后的待测硅片沿NOTCH槽进行解理，得到测试样片；步骤4：将测试样片放入择优腐蚀液中进行腐蚀；步骤5：将腐蚀后的测试样片的解理面正对显微镜的镜头，观察解理面上的氧化诱生层错。本方案是对硅片的断面进行检测，即使硅片表面有损伤或脏污也不会影响检测结果，能够提高氧化诱生层错缺陷检测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 氧化 诱生层错 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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