[发明专利]氧化镓X-ray光突触器件在审
| 申请号： | 202310335784.2 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116154031A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 侯小虎;刘彦;于舜杰;张中方;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/115 | 分类号： | H01L31/115;H01L31/0224;H01L31/032 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种氧化镓X‑ray光突触器件，包括：衬底层，选用绝缘材料制备而成；氧化镓吸光层，设置于所述衬底层表面，用于在X‑ray信号的激励下产生光生载流子；图形化电极，设置于所述氧化镓吸光层表面，用于收集氧化镓吸光层产生的所述光生载流子并输出电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 ray 突触 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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