[发明专利]氧化镓X-ray光突触器件

权利要求书

1.一种氧化镓X-ray光突触器件，包括：

衬底层，选用绝缘材料制备而成；

氧化镓吸光层，设置于所述衬底层表面，用于在X-ray信号的激励下产生光生载流子；

图形化电极，设置于所述氧化镓吸光层表面，用于收集氧化镓吸光层产生的所述光生载流子并输出电信号。

2.根据权利要求1所述的氧化镓X-ray光突触器件，所述图形化电极包括周期对称性电极。

3.根据权利要求2所述的氧化镓X-ray光突触器件，所述图形化电极的周期宽度为10μm-10mm。

4.根据权利要求1所述的氧化镓X-ray光突触器件，所述图形化电极包括周期方形状电极、周期圆形状电极、或周期叉指状电极。

5.根据权利要求4所述的氧化镓X-ray光突触器件，所述周期叉指状电极的叉指宽度为1μm-1mm，间距为1μm-1mm，叉指对数为5-200对。

6.根据权利要求1所述的氧化镓X-ray光突触器件，所述图形化电极的制备材料选自Ti、Ni、Pt、Au、Ag、Al、Pd、ITO或石墨烯。

7.根据权利要求1所述的氧化镓X-ray光突触器件，所述氧化镓吸光层的制备工艺选自金属有机化学气相沉积、磁控溅射或者脉冲激光沉积，生长薄膜的晶型不限于单晶、多晶、纳米晶、非晶等，氧化镓吸光层的厚度在1～500nm之间。

8.根据权利要求1所述的氧化镓X-ray光突触器件，所述氧化镓吸光层可响应的X-ray射线能量范围为200eV-70keV。

9.根据权利要求1所述的氧化镓X-ray光突触器件，所述氧化镓吸光层的厚度为1～500nm。

10.根据权利要求1所述的氧化镓X-ray光突触器件，所述衬底层的制备材料选自蓝宝石、硅、云母。