[发明专利]一种晶格失配四结量子阱太阳电池

摘要

本发明公开了一种晶格失配四结量子阱太阳电池，自下而上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P阻挡层、GaAs接触层、(AlhGa1‑h)0.5In0.5P电池、第一隧道结、AlyGa1‑yAs电池、第二隧道结、包含量子阱结构的GaAs电池、第三隧道结、晶格渐变缓冲层、Ga1‑xInxAs电池、布拉格反射器DBR和帽层；其中：所述GaAs电池包括n型掺杂的n‑GaAs发射区或n‑Ga0.5In0.5P发射区、GaAs1‑ePe/Ga1‑fInfAs量子阱和p型掺杂的p‑GaAs基区。GaAs电池包含量子阱结构，本发明可在不改变晶格常数的前提下，拓展GaAs电池的吸收光谱，提高量子效率；晶格渐变缓冲层采用和DBR相结合的方式，可在提高抗辐照能力和晶体质量的同时，减少了生长时间。