[发明专利]一种超掺杂硅薄膜HJT电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种超掺杂硅薄膜HJT电池及其制备方法，其中，所述制备方法包括：对晶体硅衬底进行湿法清洗制绒；在晶体硅衬底两侧表面沉积形成本征非晶硅薄膜；在本征非晶硅薄膜远离晶体硅衬底的两侧的表面分别沉积形成P型与N型非晶硅薄膜；在P型非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜远离本征非晶硅薄膜的两侧表面形成P+型超掺杂硅薄膜和N+型超掺杂硅薄膜；使用丝网印刷机和低温Ag浆正、背面印刷Ag电极。所述超掺杂硅薄膜HJT电池采用上述制备方法制备得到。本发明的有益之处在于，电池加工步骤简单，电池光电转换效率高。