[发明专利]一种铜、铟共掺杂氢氧化镱纳米材料的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202310279875.9 | 申请日： | 2023-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN116253353A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 刘喜哲;朱莎;杨清云 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01F17/32 | 分类号： | C01F17/32;H10K71/00;H10K30/86;H10K30/50;H10K30/40 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的一种铜、铟共掺杂氢氧化镱纳米材料的制备方法及应用属于纳米材料制备技术领域，首先配置聚醚P123溶液，加乙二醇并搅拌均匀，加入氢氧化钾溶液，在高压反应釜中210℃恒温反应50min，待高压反应釜冷却后，用去离子水、稀氨水、异丙醇多次清洗反应釜内的固体产物，最终得到铜、铟共掺杂氢氧化镱纳米材料，可作为空穴传输层，制备钙钛矿太阳电池。本发明制备的铜、铟共掺杂氢氧化镱纳米材料具有长期稳定性好、空穴迁移率大、空穴浓度高、禁带宽度直接可调、对缺陷和杂质的耐受性高等优异特点，该材料的能带结构可以与钙钛矿材料相匹配，从而提高钙钛矿太阳电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氢氧化 纳米 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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