[发明专利]空穴传输层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310262226.8 申请日: 2023-03-17
公开(公告)号: CN116193944A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 马飞;赵洋;游经碧 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H10K71/12 分类号: H10K71/12;H10K71/15;H10K30/15;H10K71/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 肖慧
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供一种空穴传输层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法,其中,空穴传输层的制备方法包括:S1,将2,2′,7,7′‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9′‑螺二芴溶解于有机溶剂中,得到Spiro溶液;S2,向Spiro溶液中加入碘单质,碘单质有利于加速生成p型的被氧化的自由基态Spiro·+;S3,将S2所得的混合溶液进行旋涂,置于干燥柜中使之进行快速氧化,得到Spiro空穴传输层。本公开利用碘单质掺杂Spiro空穴传输层,大幅提高了其氧化速率,缩短了正型钙钛矿太阳能电池的制备周期,减少了器件的电学迟滞效应,同时还提高了钙钛矿太阳能电池的稳定性。
搜索关键词: 空穴 传输 及其 制备 方法 太阳能电池
【主权项】:
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