[发明专利]一种硫化钼掺杂的硅碳负极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310253998.5 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116364925A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 徐政和;房大维;姜峰;李超磊;张洪岩;邱伟;王晗 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学嘉兴研究院 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B32/05;C01B33/02;C01G39/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张建珍 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于锂离子电池材料领域，公开了一种硫化钼掺杂的硅碳负极材料及其制备方法和应用。硫化钼掺杂的硅碳负极材料具有双重核壳结构，该结构包括核结构和包覆核结构的碳壳层结构；核结构包括硫化钼纳米片和分散于硫化钼纳米片中的碳包覆纳米硅颗粒。制备方法：制备碳包覆纳米硅颗粒；将碳包覆纳米硅颗粒分散于硫化钼纳米片中，得前驱体；将前驱体、有机溶剂和离子液体混合，得前驱体悬浮液；加入有机碳源，喷雾干燥，碳化，形成硫化钼掺杂的硅碳负极材料。本发明制备的硫化钼掺杂的硅碳负极材料比容量高、膨胀率低、具有优异的循环稳定性、倍率性能和电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 掺杂 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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