[发明专利]PN结区域检测方法在审
| 申请号： | 202310247956.0 | 申请日： | 2023-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116363644A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 龚瑜;黄彩清;刘颖 | 申请（专利权）人： | 深圳赛意法微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06V20/69 | 分类号： | G06V20/69;G06V10/25 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谢岳鹏 |
| 地址： | 518038 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PN结区域检测方法，包括以下步骤：对半导体器件的不同区域依次进行加热，半导体器件包括导电环路与接入导电环路中的P型半导体与N型半导体；每执行一次加热，检测导电环路内的电流；基于导电环路中检测到基于加热产生的电流，对半导体器件的光学图像中与加热区域对应的目标区域进行标识。与原子力显微镜检测的方法相比，本发明无需使用检测探针，不会受探针的使用次数与磨损程度影响，有助于减小误差，实现稳定检测；无需检测半导体器件的形貌特征，因此不需要进行去层处理，能够检查步骤，提高效率；能够进行大范围的缺陷定位，同样能够提升检测效率；能够在光学图像中直接对PN结区域进行显像，便于检测人员查看。 | ||
| 搜索关键词： | pn 区域 检测 方法 | ||
【主权项】：
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