[发明专利]PN结区域检测方法

权利要求书

1.PN结区域检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

对半导体器件的不同区域依次进行加热，所述半导体器件包括导电环路与接入所述导电环路中的P型半导体与N型半导体；

每执行一次加热，检测所述导电环路内的基于加热产生的电流；

基于所述导电环路中检测到的电流，对所述半导体器件的光学图像中与加热区域对应的目标区域进行标识。

2.根据权利要求1所述的PN结区域检测方法，其特征在于，在所述光学图像上进行标识的方法包括以下方案中的一种：

将所述目标区域标识为设定颜色；

将所述目标区域标识为设定灰度。

3.根据权利要求1所述的PN结区域检测方法，其特征在于，获取所述光学图像的方法包括：

逐次扫描所述半导体器件，以获得与各所述目标区域对应的多个局部图像；

将各所述局部图像聚合形成所述半导体器件的整体图像。

4.根据权利要求3所述的PN结区域检测方法，其特征在于，扫描所述半导体器件的方法包括以下方案中的至少一种：

单个局部图像的扫描时间为4μs至8μs；

局部图像的长度为50μm至2750μm，宽度为50μm至2750μm。

5.根据权利要求1所述的PN结区域检测方法，其特征在于，对所述半导体器件进行加热的方法包括：

通过激光光源加热所述半导体器件。

6.根据权利要求5所述的PN结区域检测方法，其特征在于，所述激光光源的参数满足以下方案中的至少一种：

功率为48mW至80mW；

激光光斑的长度为0.507μm至5.08μm，宽度为0.507μm至5.08μm。

7.根据权利要求1所述的PN结区域检测方法，其特征在于，检测所述导电环路内电流的方法包括：

根据所述导电环路选择所述半导体器件上相应的引脚；

将所述引脚电连接至检测设备的对应接口。

8.根据权利要求7所述的PN结区域检测方法，其特征在于，所述PN结区域检测方法还包括以下步骤：

识别所述半导体器件的接地引脚，识别所述检测设备的降噪接口；

将所述接地引脚电连接至所述降噪接口。

9.根据权利要求7所述的PN结区域检测方法，其特征在于，所述检测设备的参数满足以下方案中的至少一种：

向所述导电环路施加的电压为0V；

当所述检测设备检测到的电流大于20nA时，将该电流值限制为20nA。

10.根据权利要求1所述的PN结区域检测方法，其特征在于，对所述半导体器件进行加热之前，还包括以下步骤：

去除包覆于所述半导体器件外侧的模封体；

对所述半导体器件上的钝化层进行减薄处理。

11.PN结区域检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

对半导体器件的不同区域依次进行加热，所述半导体器件包括导电环路与接入所述导电环路中的P型半导体与N型半导体；

每执行一次加热，检测所述导电环路内基于加热产生的电流；

基于所述导电环路中检测到的电流值的大小，在所述半导体器件的光学图像中将与加热区域对应的目标区域进行标识，被标识的所述目标区域为掺杂浓度异常区域。

12.根据权利要求11所述的PN结区域检测方法，其特征在于，对所述目标区域进行标识的方法包括：

获得掺杂浓度正常的同种半导体在相同检测条件产生的电流的基准范围；

将实际测得的环路中的电流值与所述基准范围对比，如果实际测得的电流值偏离所述基准范围，则对所述目标区域进行标识。

13.根据权利要求12所述的PN结区域检测方法，其特征在于，对所述目标区域进行标识的方法包括：

实际测得的电流值大于或者小于所述基准范围，均对所述目标区域进行相同的标识；

或者，实际测得的电流值大于所述基准范围时，对所述目标区域进行第一标识，实际测得的电流值小于所述基准范围时，对所述目标区域进行第二标识；

或者，实际测得的电流值大于所述基准范围时，对所述目标区域进行第三标识，所述第三标识能够跟随实际测得的电流值与所述基准范围之间的偏移量同步变动，实际测得的电流值小于所述基准范围时，对所述目标区域进行第四标识，所述第四标识能够跟随实际测得的电流值与所述基准范围之间的偏移量同步变动。