[发明专利]具有多层光电传感薄膜晶体管的制备方法在审
申请号: | 202310232062.4 | 申请日: | 2023-03-06 |
公开(公告)号: | CN116525711A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 杨东哺;闫岩;吴金萱;张猛;黎冰 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;C23C14/34;C23C14/14;C23C16/455;C23C16/40;C23C14/04;C23C14/08;C23C28/00 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 迟珊珊 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有多层光电传感薄膜晶体管的制备方法,包括以下步骤将基底放入第一溅射氛围进行溅射形成铝制的底栅层,将基底放入原子层沉积氛围进行原子层沉积,底栅层的上表面形成氧化铝介质层;将基底放入第二溅射氛围基于IGZO靶材溅射形成传输层;将基底放入第三溅射氛围基于IGZO靶材以及氮气气流溅射形成光吸收层;将基底放入第四溅射氛围基于铝单质靶材溅射形成铝电极;基底、底栅层、氧化铝介质层、传输层、光吸收层以及铝电极构成光电传感复合薄膜结构用于光电传感器内晶体管的光电转换。本方法能够制备高纯度光电传感薄膜可稳定地在可见光照下对电流进行放大,通过溅射法制备光电传感薄膜显著提升了光电晶体管的可见光响应。 | ||
搜索关键词: | 具有 多层 光电 传感 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学,未经深圳大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310232062.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的