[发明专利]包括水平沟道区的三维非易失性存储器件在审
| 申请号： | 202310225925.5 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116744680A | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 河大元;李炅奂;朴玄睦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B20/00 | 分类号： | H10B20/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 马晓蒙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种三维非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括在基板上沿第一横向方向、第二横向方向和垂直方向重复排列的多个存储单元。第一横向方向和第二横向方向平行于基板的主表面并彼此垂直，垂直方向垂直于基板的主表面。存储单元阵列包括多个水平沟道区和垂直字线。多个水平沟道区在基板上沿第一横向方向延伸。多个水平沟道区在垂直方向上彼此重叠并彼此间隔开。垂直字线在垂直方向上穿过多个水平沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 水平 沟道 三维 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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