[发明专利]一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构在审
| 申请号： | 202310182351.8 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116301154A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘智;于洪波;陈泽强;姚思远;葛梅;吴嘉琪 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56;H03K19/003 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明一种抗γ瞬时辐照效应的LDO电路拓扑结构，包括电压基准、误差放大器、输出驱动电路、PMOS功率调整管P1、NMOS晶体管N1和反馈电阻；电压基准与误差放大器反相端连接，误差放大器的输出端与输出驱动电路的输入端连接，输出驱动电路的输出端与PMOS功率调整管P1栅极连接，PMOS功率调整管P1源极与输入节点V |
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| 搜索关键词： | 一种 瞬时 辐照 效应 ldo 电路 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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