[发明专利]一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法在审
| 申请号： | 202310180021.5 | 申请日： | 2023-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN116300150A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 徐玉亮;刘瑞丹;夏君磊 | 申请（专利权）人： | 北京航天时代光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G03F7/20;G03F7/16;G03F7/32 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 贾文婷 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法，涉及集成光学领域，包括S1：在晶圆一侧表面依次制备钛层和金种子层；S2：在金种子层表面使用光刻胶制备薄金电极图形掩模，电镀出薄金电极，除去薄金电极图形掩模，得到带有薄金电极的晶圆；S3：在带有薄金电极的晶圆表面，使用光刻胶制备厚金电镀图形掩模，厚金电镀图形掩模的厚度高于厚金电极厚度；S4：旋转晶圆，电镀S3得到的具有厚金电镀图形掩模的晶圆，获得的晶圆附着有厚金电极；S5：去除S4获得的晶圆上的厚金电镀图形掩模，获得中间产品；S6：除去中间产品上未覆盖有薄金电极和厚金电极的金种子层和钛层。得到深宽比与高宽比均大于3的掩膜，电镀掩模垂直度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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