[发明专利]发光二极管和发光装置在审
| 申请号： | 202310176103.2 | 申请日： | 2023-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN116072787A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 吴志伟;王燕云;熊伟平;高迪;郭桓卲;彭钰仁 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开发光二极管，发光二极管包括：半导体外延叠层，至少包含依次叠置的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述半导体外延叠层形成有第一台面，所述第一台面暴露所述第一导电类型半导体层；第一接触电极，位于所述第一台面上，与所述第一导电类型半导体层电连接；第二接触电极，位于所述第二导电类型半导体层之上，与所述第二导电类型半导体层电连接；第一打线电极和第二打线电极，位于所述第一接触电极和第二接触电极之上；其特征在于：所述第一打线电极和第二打线电极在所述半导体外延叠层上的水平投影落入所述第一接触电极和第二接触电极的水平投影内。本发明可分散打线过程中的冲击力，提升发光二极管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 发光 装置 | ||
【主权项】：
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