[发明专利]刻蚀腔的清洁方法在审
| 申请号： | 202310175438.2 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116313721A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王瑞环;余鹏;祝建;陈垚;汪泽群;陆小豪 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀腔的清洁方法，提供刻蚀机台以及包括多个晶圆的晶圆组，选取出其中的N个晶圆，晶圆上均形成有金属互连结构，刻蚀机台中的刻蚀腔包括静电卡盘，静电卡盘上具有多个气孔；依次固定第一至第N‑1个晶圆至静电卡盘上进行刻蚀，在两晶圆刻蚀之间的时间段，在刻蚀腔通入第一清洁气体，利用第一清洁气体电离形成第一等离子体清洁刻蚀腔；移动第N个晶圆至静电卡盘上进行刻蚀，之后在刻蚀腔中通入第第一清洁气体，利用第一清洁气体电离形成第一等离子体清洁刻蚀腔。本发明去无晶圆自动干蚀刻清洁中对静电卡盘造成损伤的气体，增加覆盖晶圆的清洁方法，有效清洁刻蚀腔中蚀刻副产物的同时，起到保护静电卡盘的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 清洁 方法 | ||
【主权项】：
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