[发明专利]提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法在审
| 申请号： | 202310152332.0 | 申请日： | 2023-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN116103627A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 谭必松;黄先念;宋鲁霞;龚汉红;杜宇;毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 浙江珏芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;C23C14/02 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟玉敏 |
| 地址： | 323000 浙江省丽水市莲都*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法，沉积方法包括：提供基片台及至少两个固定单元，基片台包括铁磁性材质，固定单元设有至少一吸附面及至少一固定面，固定面与吸附面的夹角大于或等于90°，吸附面包括磁体材质；提供红外晶片，呈多边形状且置于基片台上，至少两个固定单元的固定面与红外晶片的至少两个端面相接触并利用吸附面将红外晶片吸附固定于基片台上；执行吹扫；移至沉积设备内执行沉积工艺。本发明中，采用基片台与吸附面之间的磁性吸附进行固定，不仅固定操作较为方便快捷且便于批量加工，其固定较为稳定，而且在固定过程及镀膜过程中可避免在沉积薄膜过程中引入杂质影响红外晶片表面薄膜洁净度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 红外 晶片 表面 薄膜 洁净 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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