[发明专利]提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法

说明书

本发明提供一种提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法，沉积方法包括：提供基片台及至少两个固定单元，基片台包括铁磁性材质，固定单元设有至少一吸附面及至少一固定面，固定面与吸附面的夹角大于或等于90°，吸附面包括磁体材质；提供红外晶片，呈多边形状且置于基片台上，至少两个固定单元的固定面与红外晶片的至少两个端面相接触并利用吸附面将红外晶片吸附固定于基片台上；执行吹扫；移至沉积设备内执行沉积工艺。本发明中，采用基片台与吸附面之间的磁性吸附进行固定，不仅固定操作较为方便快捷且便于批量加工，其固定较为稳定，而且在固定过程及镀膜过程中可避免在沉积薄膜过程中引入杂质影响红外晶片表面薄膜洁净度。

技术领域

本发明涉及制冷红外探测器技术领域，特别涉及一种提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法。

背景技术

碲镉汞(MCT)红外芯片是一种涵盖短波(1-3μm)、中波(3-5μm)、长波(5-10μm)的全红外波段探测芯片，可设计调控的红外探测能力，使其在民生、军事、科研等领域有着广泛应用。

碲镉汞红外芯片的制备工艺包括多种薄膜的生长工艺(镀膜工艺)，例如以物理气相沉积工艺(PVD)形成钝化膜、金属膜、铟柱膜层生长及红外增透膜层等。以采用蒸镀工艺在碲镉汞红外晶片上镀膜为例，碲镉汞红外晶片需被固定于蒸发源的上方且朝向下方设置，其中，如何方便且稳定地固定碲镉汞红外晶片，并同时避免引入额外的表面杂质而影响芯片质量是很重要的一方面。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法，以在沉积时方便且稳定地固定红外晶片且不引入杂质，以提高膜层质量。

为解决上述技术问题，本发明提供的提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法，包括：

提供基片台及至少两个固定单元，所述基片台包括铁磁性材质，所述固定单元设有至少一吸附面及至少一固定面，所述固定面与所述吸附面的夹角大于或等于90°，所述吸附面包括磁体材质；

提供红外晶片，所述红外晶片呈多边形状且置于所述基片台上，至少两个所述固定单元的固定面与所述红外晶片的至少两个端面相接触并利用所述固定单元的吸附面将所述红外晶片吸附固定于所述基片台上；

对所述红外晶片执行吹扫；以及，

将固定所述红外晶片的基片台移至沉积设备内执行沉积工艺，以在所述红外晶片的表面沉积所述薄膜。

可选的，所述薄膜包括金属膜层或介质膜层。

可选的，所述沉积工艺包括蒸镀工艺或溅射镀工艺。

可选的，所述固定面包括柔性材质。

可选的，所述固定单元还包括顶面及内侧面，所述顶面为所述吸附面相对的面，所述内侧面连接所述顶面及所述固定面。

可选的，所述内侧面垂于所述吸附面。

可选的，所述固定面在垂直于所述吸附面上的高度小于或等于所述红外晶片的厚度。

可选的，所述固定单元呈L型，包括第一部及与所述第一部连接的第二部，所述第一部与所述第二部均包括所述吸附面及所述固定面，所述第一部及所述第二部的固定面与所述红外晶片的相邻两个所述端面相接触，且所述第一部及所述第二部的角度小于或等于所述红外晶片的相邻两个端面的角度。

可选的，所述第一部与所述第二部的角度为80°～100°。

可选的，所述固定单元呈一字型，至少两个呈一字型的所述固定单元与所述红外晶片的至少两个相对的端面相接触以固定所述红外晶片。