[发明专利]一种利用硅层层自组装增强植物重金属铬抗性的方法在审

专利信息
申请号: 202310142969.1 申请日: 2023-02-21
公开(公告)号: CN116569754A 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 庞志豪;梁永超 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: A01G7/06 分类号: A01G7/06;A01G22/15;A01G22/22
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 傅朝栋;张法高
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种利用硅层层自组装增强植物重金属铬抗性的方法。该方法具体为:在植物移栽之前,将植物的根系在阳离子硅聚合诱导剂溶液和硅酸溶液中交替浸泡,通过层层自组装的方法在植物根系表面形成一层或多层硅,然后再将植物移栽至含铬环境中。使用本发明的方法可在植物根系表面形成硅层,使根系硅含量在短时间内可最高增加至1733μg/g,与普通培养相比地上部铬含量降低68%‑75.2%。此外,本发明在水稻生长状况、增加根系硅含量、限制地上部铬含量等方面都优于营养液直接加硅。
搜索关键词: 一种 利用 层层 组装 增强 植物 重金属 抗性 方法
【主权项】:
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