[发明专利]一种芯片集成式NDIR气体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310142649.6 | 申请日： | 2023-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN116008228A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 宏宇;武斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市美思先端电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/359 | 分类号： | G01N21/359;G01N21/03;B81C1/00;B81C3/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明区凤凰*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片集成式NDIR气体传感器，包括依次键合连接的顶盖组件、第一晶片和第二晶片；所述顶盖组件与第一晶片之间形成气室，所述顶盖组件上设有通气孔，所述第一晶片上设有位于所述气室中的MEMS红外光源和热电堆组件，所述热电堆组件上盖设有滤光片；所述第二晶片上与第一晶片键合的一侧设有用于对MEMS红外光源进行控制，并对热电堆组件产生的电信号进行处理的ASIC电路，以及用于对外界进行信号交换的引脚。本发明通过将MEMS红外光源和用于感应红外信号的热电堆组件均集成在第一晶片上，减小了传感器的体积，且还将用于对热电堆组件产生的信号进行处理的ASIC电路集成在传感器内部，有效降低了传输噪声，提高了检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 集成 ndir 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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