[发明专利]可直接光刻的量子点、其制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202310140241.5 申请日: 2023-02-08
公开(公告)号: CN116042210A 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 樊军鹏;徐锐;章婷;钱磊 申请(专利权)人: 宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;H10K50/115;H10K71/20;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 315000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种可直接光刻的量子点、其制备方法及应用。所述制备方法包括:提供表面配体以及初始量子点,初始量子点表面结合有初始配体;采用合成阶段加入,或配体置换的方法,将初始量子点表面结合的初始配体置换为表面配体;其中,表面配体包括锚定基团以及与锚定基团连接的碳链,碳链中包含联炔基团,锚定基团能够结合于量子点的表面,获得可直接光刻的量子点。本发明通过改进量子点的表面配体的分子结构,经过图案化光照即可实现配体之间的交联,进而实现量子点的图案化光刻,无需额外引入光敏添加剂,同时对量子点本身性能的影响较小,能够较好的实现量子点材料的直接光刻成形,便于获得高分辨率量子点像素阵列,同时较好地保留了量子点的光学性能。
搜索关键词: 直接 光刻 量子 制备 方法 应用
【主权项】:
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