[发明专利]可直接光刻的量子点、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种可直接光刻的量子点的制备方法，其特征在于，包括：

提供表面配体以及初始量子点，所述初始量子点表面结合有初始配体；

采用合成过程中加入，或配体置换的方法，将所述初始量子点表面结合的初始配体置换为所述表面配体；

其中，所述表面配体包括锚定基团以及与所述锚定基团连接的碳链，所述碳链中包含联炔基团，所述锚定基团能够结合于量子点的表面，获得可直接光刻的量子点。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳链包括依次连接的第一烷基链、联炔基团以及第二烷基链；

优选的，烷基链和联炔基团具有多个循环；

优选的，所述碳链包括依次连接的第一烷基链、第一联炔基团、第二烷基链、第二联炔基团及第三烷基链。

所述第一烷基链与所述锚定基团连接。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一烷基链的碳原子数为2-10；

和/或，所述第二烷基链的碳原子数为2-12；

和/或，所述第三烷基链的碳原子数为2-12。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锚定基团包括-COOH、-NH₂、-SH、-PO₃H₂、-PH_x、-OH、-SO₃H中的任意一种，其中x的取值为1-2。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述表面配体包括2，4-十五碳二炔酸、4，6-十七碳二炔酸、5，7-十六碳二炔酸、10，12-十七碳二炔酸、10，12-二十三碳二炔酸，10，12-二十五碳二炔酸中的任意一种或两种以上的组合。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在量子点合成阶段将所述光敏配体替代部分原有配体进行表面钝化，所述光敏配体的摩尔占比为5mol％-100mol％，或将所述初始量子点分散于原始胶液中，向所述原始胶液中添加10-50倍过量的所述表面配体，以进行所述配体置换；

优选的，完成所述配体置换后，通过反溶剂法去除多余的所述表面配体；

优选的，所述配体置换的时间为1-6h。

7.一种可直接光刻的量子点，表面结合有表面配体；

其特征在于，所述表面配体包括锚定基团以及与所述锚定基团连接的碳链，所述碳链中包含联炔基团，所述锚定基团结合于量子点的表面。

8.一种图案化的量子点结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供含有权利要求7所述的量子点的涂覆液；

使所述涂覆液涂覆成膜，获得前置量子点膜；

利用图案化掩模对所述前置量子点膜进行图案化光刻处理；

溶剂清洗去除未经光照的部分所述前置量子点膜，获得图案化的量子点结构。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述图案化光刻处理的波长范围为172—405nm；

和/或，所述前置量子点膜的厚度为20-100nm。

10.一种量子点光电器件，其特征在于，包括第一半导体层和第二半导体层，以及设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间的量子点结构，所述第一半导体层和第二半导体层的导电特性相反；

所述量子点结构采用权利要求8—9中任意一顶所述的制作方法制作形成。