[发明专利]STI结构的形成方法在审
| 申请号： | 202310134158.7 | 申请日： | 2023-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN116169089A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏飞;高骏 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种STI结构的形成方法，包括：在衬底中形成沟槽，从俯视角度观察，沟槽为环形；在衬底和沟槽上形成线性氧化层；在除沟槽以外的衬底上形成硬掩模层；形成氧化物层，氧化物层填充沟槽；进行平坦化处理，去除沟槽外的氧化物层、硬掩模层和线性氧化层，沟槽内的线形氧化层和氧化物层形成STI结构；其中，平坦化处理包括第一阶段和第二阶段，第一阶段中的研磨速度大于第二阶段中的研磨速度，在进行平坦化处理的过程中，通过EPD技术监控平坦化处理的进程。本申请通过在STI结构的形成过程中，通过两个阶段的CMP工艺进行平坦化处理，由于第二阶段中的研磨速度大于第二阶段中的研磨速度，解决了高速率研磨所带来的EPD抓取不稳定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | sti 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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