[发明专利]一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤及其生长方法在审
| 申请号： | 202310124559.4 | 申请日： | 2023-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN116184562A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;C30B15/36;C30B15/04;C30B29/28;G02B1/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤的生长方法，包括：(1)选择具有均匀掺杂离子浓度为n at％的晶体或陶瓷，以及无掺杂离子的同质晶体或陶瓷切割成方棒后，按侧面设计切线进行切割、抛光和拼接，得到第一源棒；(2)采用无掺杂离子的晶体或者陶瓷作为籽晶，将所得源棒固定于激光加热基座单晶光纤生长炉中，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；(3)将一次正向生长的单晶光纤作为第二源棒进行一次逆向生长；(4)将一次逆向生长后的单晶光纤作为第三源棒进行二次正向生长；(5)二次正向生长后的单晶光纤作为第四源棒进行二次逆向生长，得到所述掺杂离子可调控分布的单晶光纤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 离子 调控 分布 光纤 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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