[发明专利]基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法在审
| 申请号： | 202310121948.1 | 申请日： | 2023-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN116299854A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 余巨峰;杨荣;王庆;曾友宏;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海铭锟半导体有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;H01L21/02;G02B6/132;G02B6/136;G02B6/12 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 管高峰 |
| 地址： | 200120 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上通过热氧方式生长氧化硅层；在氧化硅层表面沉积非晶硅层作为硬掩膜；使用具有副图案的掩膜版进行光刻，副图案包括若干交错排布的矩形图案，矩形图案填充于主图案之外的空白区域处；刻蚀非晶硅层，将副图案以凹槽或凸出形状转移到非晶硅层上；刻蚀氧化硅层后，再去除非晶硅层；生长氮化硅膜层；若副图案为凹槽形状，则使用化学机械抛光工艺去除多余的氮化硅，形成氮化硅器件图案；若副图案为凸出形状，则使用器件层掩膜版进行光刻工艺，刻蚀氮化硅膜层，形成氮化硅器件图案。本发明可降低氮化硅的应力累积，降低裂纹的产生，阻挡裂纹的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 应力 分散 裂纹 阻挡 图案 氮化 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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