[发明专利]半导体器件结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310115882.5 | 申请日： | 2023-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN116419575A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B53/30 | 分类号： | H10B53/30;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了铁电器件及其形成方法。在一些实施例中，形成半导体器件结构的方法包括在层上沉积掺杂二氧化铪层，并且掺杂二氧化铪层具有第一氧空位浓度。该方法还包括对掺杂二氧化铪层执行超高真空退火工艺以将第一氧空位浓度增加到第二氧空位浓度以及对掺杂二氧化铪层执行氧退火工艺以降低第二氧空位浓度。本发明的实施例还提供了半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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