[发明专利]一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构在审
| 申请号： | 202310097258.7 | 申请日： | 2023-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN116075159A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 冯林润;刘哲;杜江文;邱鹏飞;何俊峰 | 申请（专利权）人： | 杭州领挚科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K19/10 | 分类号： | H10K19/10;H04N25/40;H10K39/30;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张晨;栗若木 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构，该电路包括：开关晶体管、传感晶体管、工作电极和参比电极；开关晶体管为双栅结构，包括第一栅电极、第二栅电极、第一源漏极和第二源漏极；第一栅电极和第二栅电极相连；传感晶体管为双栅结构，包括第三栅电极、第四栅电极、第三源漏极和第四源漏极；第三栅电极作为阈值电压调控电极，第四栅电极与工作电极相连；第一源漏极输出传感信号，第二源漏极与第三源漏极相连，第四源漏极与参比电极相连；参比电极设置为提供偏置电压。通过该实施例方案，使得溶液中电压维持在较低水平，并极大地提高了对分子检测的灵敏度，并保证了像素传感信号被可靠读取。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 传感 像素 电路 阵列 结构 | ||
【主权项】：
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