[发明专利]一种薄膜晶体管传感像素电路、阵列和结构在审
申请号: | 202310097258.7 | 申请日: | 2023-01-19 |
公开(公告)号: | CN116075159A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 冯林润;刘哲;杜江文;邱鹏飞;何俊峰 | 申请(专利权)人: | 杭州领挚科技有限公司 |
主分类号: | H10K19/10 | 分类号: | H10K19/10;H04N25/40;H10K39/30;H01L23/544 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张晨;栗若木 |
地址: | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 传感 像素 电路 阵列 结构 | ||
1.一种薄膜晶体管传感像素电路,其特征在于,包括:开关晶体管、传感晶体管、工作电极和参比电极;
所述开关晶体管为双栅结构,所述开关晶体管包括:第一栅电极、第二栅电极、第一源漏极和第二源漏极;所述第一栅电极和所述第二栅电极相连;
所述传感晶体管为双栅结构,所述传感晶体管包括:第三栅电极、第四栅电极、第三源漏极和第四源漏极;所述第三栅电极作为阈值电压调控电极,所述第四栅电极与所述工作电极相连;
所述第一源漏极设置为输出传感信号,所述第二源漏极与所述第三源漏极相连,所述第四源漏极与所述参比电极相连;
所述参比电极设置为提供偏置电压。
2.一种薄膜晶体管传感像素阵列,其特征在于,包含多个如权利要求1所述的薄膜晶体管传感像素电路。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管传感像素阵列,其特征在于,还包括:行选电路、行选信号线、传感信号读出电路和列读信号线;
所述行选电路通过所述行选信号线与每行薄膜晶体管传感像素电路中的每个所述第一栅电极相连,为每个所述薄膜晶体管传感像素电路提供开关信号;
所述传感信号读出电路通过所述列读信号线与每列薄膜晶体管传感像素电路中的每个所述第一源漏极相连,用于读取每列薄膜晶体管传感像素电路中被选中的薄膜晶体管传感像素电路输出的传感信号。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管传感像素阵列,其特征在于,还包括:第一电源信号线、第二电源信号线和第三电源信号线;
所述第一电源信号线设置为与所述第三栅电极相连;
所述第二电源信号线设置为与所述第四源漏极相连;
所述第三电源信号线设置为将所述第二电源信号线与所述参比电极相连。
5.一种薄膜晶体管传感像素电路的结构,其特征在于,基于权利要求1所述的薄膜晶体管传感像素电路;包括:
衬底;
开关晶体管和传感晶体管,生成于所述衬底上;
工作电极,生成于所述传感晶体管上方;
参比电极,生成于所述工作电极的一侧。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管传感像素电路的结构,其特征在于,所述开关晶体管和所述传感晶体管生成于所述衬底上,包括:
所述开关晶体管和所述传感晶体管在所述衬底上并排设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州领挚科技有限公司,未经杭州领挚科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310097258.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。