[发明专利]一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质有效
| 申请号： | 202310095787.3 | 申请日： | 2023-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN115792585B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 马维超;易峰;刘律辑 | 申请（专利权）人： | 湖南进芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/3167 | 分类号： | G01R31/3167;G01R31/28 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 卓文君 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市长沙高新开发区尖山*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质，方法包括：响应于激励信号发送指令从老化向量存储模块中读取预先写入的目标数字激励数据发送至目标老化板；获取数据发送结束信号；根据数据发送结束信号生成第一模式切换信号发送至目标老化板，使得目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式；切换完成后生成目标模拟激励数据发送至目标老化板，使得目标老化板在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验；接收反馈的老化试验结果数据。本发明实施例的集成电路老化试验方法能够实现DFT测试模式和功能模式两种场景的分时激励，既保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留功能老化方式贴近真实场景的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 老化试验 方法 装置 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南进芯电子科技有限公司，未经湖南进芯电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310095787.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
