[发明专利]一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质

说明书

本发明公开了一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质，方法包括：响应于激励信号发送指令从老化向量存储模块中读取预先写入的目标数字激励数据发送至目标老化板；获取数据发送结束信号；根据数据发送结束信号生成第一模式切换信号发送至目标老化板，使得目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式；切换完成后生成目标模拟激励数据发送至目标老化板，使得目标老化板在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验；接收反馈的老化试验结果数据。本发明实施例的集成电路老化试验方法能够实现DFT测试模式和功能模式两种场景的分时激励，既保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留功能老化方式贴近真实场景的优势。

技术领域

本发明涉及电子相关技术领域，尤其是涉及一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质。

背景技术

集成电路由于规模大，外部管脚较多，且控制信号多样，内部逻辑复杂，在进行老化试验时，通常需要使用较为复杂的外部信号进行动态激励。对于混合集成电路，同时需要数字激励和模拟激励才能保证器件的所有部分均处于动态状态，实现各部分充分动作且均衡老化。

较大规模的集成电路一般集成有DFT（Design For Test）电路专为生产测试而设计，这类集成电路可在功能模式和DFT模式自由切换。进行老化试验时，既可以基于功能模式，又可以基于DFT模式，这两种模式各有优势。在功能模式下，各电路特别是数字电路工作在正常的工作场景，贴近真实应用场景的老化方式更能激发实际使用场景下电路中的薄弱点，然而功能模式下，常规的外部激励往往无法对内部特定逻辑实现定向化、定量化覆盖，换言之无法可控地保证内部特定的逻辑门电路在老化试验过程中进行了“0-1”或者“1-0”的翻转跳变从而达到模拟工作状态的目的。因此对于大规模数字逻辑芯片，通常采用DFT模式进行老化试验，而无法保留功能老化方式贴近真实场景的优势。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种集成电路老化试验方法，能够实现DFT测试模式和功能模式两种场景的分时激励，既保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留功能老化方式贴近真实场景的优势。

本发明还提供了一种集成电路老化试验系统、装置以及计算机可读存储介质。

根据本发明的第一方面实施例的集成电路老化试验方法，包括以下步骤：

响应于激励信号发送指令，从老化向量存储模块中读取预先写入的目标数字激励数据并发送至目标老化板；

获取数据发送结束信号，所述数据发送结束信号用于指示所述目标数字激励数据已写入所述目标老化板中；

根据所述数据发送结束信号生成第一模式切换信号并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式；

切换完成后生成目标模拟激励数据并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板在功能模式下根据所述目标数字激励数据和所述目标模拟激励数据进行老化试验；

接收由所述目标老化板实时反馈的老化试验结果数据，直至完成老化试验。

根据本发明实施例的集成电路老化试验方法，至少具有如下有益效果：